مجله علمی تفریحی بیبیس
0

دانلود کتاب مطالعات جنبشی در سیستم GeO2/Ge – گذشته نگر از سال 2021

بازدید 374
  • عنوان کتاب: Kinetic Studies in GeO2Ge System
  • نویسنده: Sheng-Kai Wang
  • حوزه: میکروالکترونیک
  • سال انتشار: 2022
  • تعداد صفحه: 157
  • زبان اصلی: انگلیسی
  • نوع فایل: pdf
  • حجم فایل: 14.38 مگابایت

این کتاب عمدتاً بر اساس پایان نامه دکتری من در گروه مهندسی مواد دانشگاه توکیو از سال 2008 تا 2011 است. در طول دوره تحصیل در مقطع دکتری، پروفسور آکیرا توریمی را برای یادگیری سینتیک واکنش در سیستم GeO2/Ge دنبال کردم. در مقایسه با پایان نامه من، برخی به روز رسانی ها در این کتاب وجود دارد، از جمله: 1) پیشرفت تحقیقاتی که پس از پیوستن من به موسسه میکروالکترونیک آکادمی علوم چین به دست آمده است. 2) نتایج جدید با داده ها یا ارقام جدید؛ و 3) مروری بر نظر فعلی من در سال 2021 از نظر “یادداشت نویسنده”.
طی سال‌های 2008 تا 2011، Ge به دلیل تحرک بالا، به عنوان یک نامزد امیدوارکننده برای جایگزینی Si برای دستگاه‌های نیمه‌رسانای اکسید فلزی پیشرفته (CMOS) در نظر گرفته شد. در حال حاضر (2021)، نظر نسبت به امکان استفاده از Ge خالص به عنوان کاندید تغییر کرده است. با این حال، همانطور که گره فناوری از 22 نانومتر به 5 نانومتر و فراتر می رود، محتوای Ge در کانال افزایش می یابد. بنابراین، مهم نیست که آیا می توان از Ge CMOS خالص استفاده کرد یا نه، مطالعه بنیادی ترین پشته GeO2/Ge همچنان ارزش خود را حفظ می کند. مطالعه جنبشی روی GeO2/Ge هنوز برای برآورده کردن نیاز برای کنترل پشته‌های GeO2/Ge کافی نیست. این کتاب به بررسی سینتیک واکنش در دفع GeO، تبلور GeO2 و اکسیداسیون GeO2 در سیستم GeO2/Ge می‌پردازد، با هدف ارائه ایده‌ای اساسی در مورد رابط GeO2/Ge و پاسخ به این که چرا Ge بسیار متفاوت از Si رفتار می‌کند. در اصل

This book is mainly based on my doctoral dissertation in the Department of Materials Engineering, University of Tokyo from 2008 to 2011. During the period of doctoral study, I followed Professor Akira Toriumi to learn the reaction kinetics in the GeO2/Ge system. Compared with my dis­sertation, there are some updates in this book, including: 1) research prog­ress achieved after I joined the Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences; 2) new results with new data or figures; and 3) retro­spection on my current opinion in 2021 in terms of “Author’s Note”.

During 2008–2011, Ge was regarded as a promising candidate to replace Si for advanced complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices because of its high mobility. At present (2021), the opinion towards the possibility of using pure Ge as a candidate has already changed. However, as the technology node goes from 22nm to 5nm and beyond, Ge content in the channel is increasing. Therefore, no matter whether pure Ge CMOS could be used or not, studying the most fundamental GeO2/Ge stack still maintains its value. The kinetic study on GeO2/Ge is still insuf­ficient to meet the requirement for the control of GeO2/Ge stacks. This book investigates the reaction kinetics in GeO desorption, GeO2 crystal­lization, and Ge oxidation in the GeO2/Ge system, aiming to provide the fundamental idea about the GeO2/Ge interface and give an answer as to why Ge behaves so differently from Si in principle.

این کتاب را میتوانید از لینک زیر بصورت رایگان دانلود کنید:

Download: Kinetic Studies in GeO2Ge System

نظرات کاربران

  •  چنانچه دیدگاه شما توهین آمیز باشد تایید نخواهد شد.
  •  چنانچه دیدگاه شما جنبه تبلیغاتی داشته باشد تایید نخواهد شد.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.